RTP快速熱擴(kuò)散和常規(guī)熱擴(kuò)散的比較RTP系統(tǒng)采用光加熱方式，而常規(guī)熱擴(kuò)散采用的是電阻爐加熱，這是它們主要區(qū)別。RTP快速熱擴(kuò)散和傳統(tǒng)熱擴(kuò)散的比較見，加熱過程和擴(kuò)散時(shí)間的比較如。RTP快速熱擴(kuò)散和傳統(tǒng)熱擴(kuò)散的熱周期完全取決于它們的應(yīng)用，但通常都包含這樣的一個(gè)過程：升溫到設(shè)定的高溫，片子在特定的溫度下保持設(shè)定的時(shí)間，然后再降溫。它們的不同之處在于：RTP快速熱擴(kuò)散有快的升降溫速率，要求進(jìn)行復(fù)雜的、多階段的熱處理。

　　RTP快速熱擴(kuò)散最大的不同之處在于：在RTP系統(tǒng)里，被處理的片子和周圍環(huán)境從沒有處在熱平衡狀態(tài)。

　　RTP快速擴(kuò)散模型在常規(guī)擴(kuò)散里，雜質(zhì)原子是基于熱力學(xué)而進(jìn)行的擴(kuò)散，主要靠漂移場和濃度梯度場的作用。而在快速熱擴(kuò)散中，除了有熱力學(xué)作用外，主要受到光效應(yīng)的作用，特別是高能光子的作用<43、45、46、47>，其他還有氧化增強(qiáng)效應(yīng)<6>，瞬態(tài)增強(qiáng)效應(yīng)<31、47>和場助效應(yīng)等<38>。

　　對Si而言，相關(guān)系數(shù)f=0.78，協(xié)調(diào)因子nc=4。因?yàn)榭瘴坏男纬梢�求的能量相�?dāng)高，所以可以假定Sf和Hf保持不變。在給定的工藝溫度下，導(dǎo)致擴(kuò)散系數(shù)有凈增值<45>。這就從理論上說明了在快速擴(kuò)散中是擴(kuò)散為什么快。

　　RTP硅太陽電池的實(shí)驗(yàn)室制造盡管RTP技術(shù)在1965年就出現(xiàn)，但是它在太陽電池的制造中一直未見應(yīng)用。直到1985年才有報(bào)道在實(shí)驗(yàn)室里用RTP技術(shù)來制作太陽電池的p-n結(jié)。

　　RTPFZ單晶硅太陽電池FZ（floatzone）是區(qū)熔單晶硅，一般用作集成電路的材料。RTPFZ單晶硅太陽電池的最高實(shí)驗(yàn)室效率是19.1%。由于硅片面積、制作工藝不一樣，所以效率有差別。近年來，RTP硅太陽電池一般都制作選擇性高低結(jié)。有利于載流子的收集和減低表面復(fù)合速度，從而提高短路電流和開路電壓。RTPFZ硅太陽電池效率由于不同的單位在不同的年代采用的制作工藝有所不同，在區(qū)熔單晶硅上得到轉(zhuǎn)換效率也不一樣，RTPFZ單晶硅太陽電池的發(fā)展過程見。

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