韓國再研發(fā)高性能Si材料,或?qū)⒁I(lǐng)未來Si材料發(fā)展潮流!

時間:2018-06-01 11:45來源:第一電動網(wǎng) 作者:新能源Leader
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        Si材料理論比容量可達4200mAh/g(Li4.4Si),是石墨材料的十倍以上,并且Si材料在地殼中儲量十分豐富,因此Si材料是最有希望取代石墨的下一代高容量負極材料。但是Si材料嵌鋰后體積膨脹高達300%以上,這不僅僅會造成材料顆粒的破碎和粉化,還會破壞顆粒表面脆弱的SEI膜,漏出新鮮的電極表面造成電解液持續(xù)在電極表面分解,這都會嚴重影響Si材料的循環(huán)性能。
 
        Si/C復合是常見的解決體積膨脹對Si材料循環(huán)壽命影響的方法,碳材料一方面能夠吸收Si材料在嵌Li過程的體積膨脹,另一方面也作為Li嵌入Si材料的離子通道和電子通道。近日韓國延世大學的Byung Hoon Park報道了一種Si/高導電CNT復合微球的方法解決Si材料嵌鋰體積膨脹對循環(huán)壽命造成的影響,該材料初始可逆容量達到2302mAh/g(電流密度0.1A/g),在1A/g的電流密度下容量仍然可達1989mAh/g,即便是在10A/g的電流密度下仍然可達784mAh/g,表現(xiàn)出了優(yōu)異的倍率性能,同時該材料也表現(xiàn)出了優(yōu)異的循環(huán)性能,在1A/g的電流密度下循環(huán)100次容量保持率可達70%。
 
        通常而言常見Si/C復合方式可以分為三大類:1)Si/熱解碳復合;2)Si/石墨烯復合;3)Si/碳納米管復合。由于熱解碳的密度較高,內(nèi)部缺少微孔,因此會阻礙Li+的擴散,造成循環(huán)性能不佳。Si/石墨烯復合材料雖然具有非常好的導電性,但是石墨烯二維結(jié)構(gòu)會對Li+的擴散造成阻礙。而CNT材料的1維結(jié)構(gòu)在保證良好的導電性的同時也能夠為Li+擴散留出充分的空間,因此CNT非常適合與Si進行復合。
        Si/CNT/C材料的合成過程如上圖所示,首先把Si納米顆粒、CNT和蔗糖溶解在去離子水之中,然后攪拌和超聲處理2h,混合漿料采用噴霧干燥法制備顆粒,然后這些顆粒在900℃保護氣氛下處理3h,獲得最終的Si/CNT/C材料。
 
        下圖為Byung Hoon Park合成的Si/CNT材料的SEM圖片,從圖中能夠看到Si納米顆粒均勻的分布在CNT組成的網(wǎng)絡之中,碳納米管之間仍然保持著均勻分布的微孔,能夠為Li+的擴散提供充足的通道。900℃高溫處理過程中蔗糖被高溫碳化,成為連接Si與CNT、CNT與CNT的粘結(jié)劑。
        下圖a為上述過程制備的Si/CNT/C材料的充放電曲線,從圖中能夠看到在0.1A/g的電流密度下Si/CNT/C材料的首次充電容量可達3152mAh/g,放電容量為2302mAh/g,首次庫倫效率約為73%左右。在1A/g的電流密度下Si/CNT/C材料的容量仍然可以達到1989mAh/g,并且在50次循環(huán)中幾乎沒有衰降。下圖b為沒有加入蔗糖的Si/CNT材料的充放電曲線,從圖中我們能夠看到Si/CNT材料的首次放電容量僅為1537mAh/g,而且其容量在循環(huán)過程中衰降非?,在1A/g的電流密度下經(jīng)過50次循環(huán)后材料的容量就從最初的1500mAh/g左右,下降到了500mAh/g。
        為了研究Si/CNT/C(下圖c)和Si/CNT(下圖d)兩種材料不同循環(huán)性能的原因,Byung Hoon Park繪制了兩種材料在不同循環(huán)次數(shù)時的dQ/dV曲線,從圖中能夠看到在嵌鋰的過程中兩種材料都出現(xiàn)了兩個峰,分別在0.23V和0.08V,這兩個峰分別對應著Si的無定形化(0.23V)和無定形LiXSi向Li15Si轉(zhuǎn)變(0.08V)兩個反應。脫鋰過程中也分別在0.3V和0.49V出現(xiàn)兩個峰,分別對應的為LiXSi去合金化(0.3V)和Li15Si去合金化(0.49V)轉(zhuǎn)變?yōu)镾i的兩個反應。從不同循環(huán)次數(shù)的dQ/dV曲線上,我們能夠看到Si/CNT/C材料在50次循環(huán)中氧化和還原峰的強度基本上能夠保持不變,表明材料中的Si顆粒與CNT之間接觸的非常良好。而Si/CNT材料材料在經(jīng)過循環(huán)后,其氧化和還原峰的強度出現(xiàn)了大幅度的下降,表明循環(huán)的過程中由于巨大的體積膨脹導致Si顆粒與CNT導電網(wǎng)絡之間出現(xiàn)了接觸不良。Si/CNT/C材料的穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)使得其具有非常優(yōu)異的循環(huán)性能,從下圖e中能夠看到在前50次循環(huán)中電極Si/CNT/C材料的容量幾乎沒有衰降(電流密度為1A/g),在100次循環(huán)后容量保持率仍然可達70%,而Si/CNT和單質(zhì)Si材料的循環(huán)性能要遠遠低于Si/CNT/C材料。
        Si/CNT/C材料不僅表現(xiàn)出了非常優(yōu)異的循環(huán)性能,得益于CNT優(yōu)良的電子導電性和1維結(jié)構(gòu)保留的足夠的Li+擴散通道使得Si/CNT/C材料還表現(xiàn)出了優(yōu)異的倍率性能,從上圖f中能夠看到Si/CNT/C材料在0.2A/g、0.5A/g、1A/g、2A/g電流密度下,材料的比容量分別可達2141mAh/g、1974mAh/g、1616mAh/g、1471mAh/g和1253mAh/g,即便是在10A/g的大電流密度下該材料的比容量仍然可達784mAh/g。
 
Si材料的高容量特性吸引了廣泛的關(guān)注,但是其在嵌鋰過程中巨大的體積膨脹會嚴重影響其循環(huán)性能,納米化和Si/C復合是常用的抑制Si材料體積膨脹的方法,Byung Hoon Park通過將CNT與Si納米顆粒復合在一起,利用纏繞在一起的CNT吸收Si納米顆粒在嵌鋰過程中的體積膨脹,提升了Si負極的循環(huán)壽命,同時得益于CNT材料良好的電子導電性和CNT材料一維結(jié)構(gòu),為材料提供了優(yōu)良的電子導電性和離子導電性,顯著提升了Si材料的倍率性能,可謂是一舉兩得。但是該材料目前仍然存在一些問題,首先是首次庫倫效率過低,影響電池比能量,其次是循環(huán)壽命仍然遠遠低于石墨材料,影響鋰離子電池的使用成本。

 
 
(責任編輯:子蕊)
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